Специалисты нижегородского отделения Института прикладной физики РАН будут выращивать искусственные алмазы, чтобы затем применить их в полупроводниковой (электронной) технике.
По данным ИТАР-ТАСС, сегодня, 15 октября, ученые из Санкт-Петербурга и Нижнего Новгорода приступили к выращиванию искусственных алмазов.
Институт прикладной физики РАН получил 90-миллионный мегагрант правительства России для выращивания алмазов и создания на их основе полупроводниковых приборов (основа современной электронной техники).
Возглавил работу американский ученый Джеймс Батлер, пишет информагентство.
О задаче, стоящей перед нижегородскими учеными, корреспонденту NN.RU рассказал Анатолий Вихарев, заведующий лабораторией физики СВЧ разряда и синтеза углеродных материалов, которой поручили создание полупроводникового алмаза.
По его словам, приборы, созданные на основе полупроводникового алмаза, в настоящее время есть только в лабораториях и не годятся для промышленных масштабов. Дело в том, что они неустойчивы в работе, так как проводниковые свойства алмаза создаются только на поверхности.
Перед нижегородскими учеными поставлена задача ввести свойства полупроводника непосредственно внутрь алмаза при его выращивании с помощью метода, предложенного Джеймсом Батлером. Затем ученые из Петербургского государственного электротехнического университета должны будут применить такой алмаз в приборах.
Приборы с полупроводником алмазом будут иметь ряд преимуществ перед существующими, в которых используется кремний, заявил А. Вихарев. Они будут более миниатюрными или более мощными при привычном нам размере. Кроме того, техника на полупроводниковом алмазе сможет работать в условиях радиации и очень высокой температуры.
Если результаты будут успешными, проект получит дополнительное финансирование, сообщает ИТАР-ТАСС.